Исследователи IBM разработали технологию, которая позволит увеличить емкость памяти в портативных электронных устройствах в сотни раз. Она призвана в конечном счете заменить жесткие диски и флеш-накопители.
Так называемая "беговая память" хранит данные в границах магнитных доменов между магнитными областями в нанопроводниках. Свое название технология получила за то, что данные по мере чтения или записи "скачут" вокруг проводника. Состояние границ магнитных доменов можно считать при помощи чрезвычайно слабых магнитных полей, создаваемых спинами электронов.
Поэтому "беговая память" потребляет гораздо меньше энергии и выделяет меньше тепла, чем флеш-память. Ученые уже определили физику процесса и необходимые для "беговой памяти" материалы. В настоящее время исследователи работают над созданием прототипа. По мнению ученых, в коммерческую эксплуатацию память поступит через семь-восемь лет. Какова будет ее стоимость, не уточняется.
Комментарии
1